料制作的晶体管的10倍，其能耗更是不到五分之一。
而且，芯片样品的制造，以及相关测试数据，也证明了量产和商业化的可能性。
在不久前，英特尔公布过10nm制程以及首次展示了10nm的晶圆，而他们的10nm制程可以做到每平方毫米1亿晶体管，而同为10nm制程的台积电为每平方毫米4800万晶体管，三星则是每平方毫米5160万。
这些数据，就是说英特尔在10nm制程晶体管密度做到了极致，但这10nm制程也是相当难产，至今还没有正式推出相关产品。
未来芯片实验室的新芯片在22nm制程，晶体管密度仅做到了每平方毫米2000万晶体管。
单单是22nm制程晶体管密度，未来芯片实验室的芯片已经做到了极致，就连英特尔的22nm工艺也只是做到了每平方毫米1530 万晶体管，这几乎是被认为22nm工艺的极限。
而未来芯片实验室的新芯片，同样是22nm制程，却是可以达到每平方毫米2000万晶体管，比英特尔的1530万晶体管，还多了470万晶体管。
当然，比起英特尔的10nm制程，未来芯片实验室的22制程就落后许多，